Samsung представляет 14-нанометровую технологию FinFET для камеры 144 МП

Обычно, когда мы говорим о нанометрах, речь идет о новейшем чипсете. Однако, команда Samsung на конференции IEDM 2019 представила технологию 144-мегапиксельных датчиков изображения на основе 14-нанометрового процесса FinFET.

Основная проблема заключается в том, что датчики изображения должны работать при относительно высоком напряжении (2 В и выше), и все разработчики чипсетов стремятся к минимально возможному напряжению (поскольку это снижает энергопотребление и нагрев).

По словам исследователей Samsung, 14-нанометровая технология FinFET позволит снизить энергопотребление 144-мегапиксельной матрицы при съемке со скоростью 10 кадров в секунду на 42%. Для 12-мегапиксельной со скоростью 30-120 кадров в секунду (т.е. записи видео) экономия электроэнергии может достигать 37%.

Обратите внимание, что это объявление не имеет ничего общего с размером пиксела — вместо этого, 14 нм относится к транзисторам, которые усиливают сигнал, поступающий от пикселов вместе с другим аналоговым и цифровым оборудованием обработки изображения, находящимся на датчике.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *